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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS），可提供最高3.7A的工作电流（ID）。导通电阻（RDON）为1000mΩ，支持20V的栅源电压（VGS），适用于多种高效能电源管理系统。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于高电压隔离、功率调节及直流变换等场景。其设计兼顾性能与可靠性，可在多类电子设备中实现高效的功率控制功能。
