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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压工作场景。其最大漏极电流3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，具备良好的电流承载性能和较低的导通损耗。该器件常用于电源转换、开关控制、直流变换及高压调节等电路设计中，满足对效率与稳定性有要求的电力电子应用需求。
