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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适用于高耐压与中等功率应用场景。导通电阻为1000mΩ（RDON），栅源电压最大支持20V（VGS），可实现稳定的开关与导通性能。器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、电机控制、LED驱动及各类电子设备中的功率调节电路。其参数设计兼顾效率与安全性，适用于多种通用高性能电路架构。
