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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压电路环境。最大漏极电流为3.7A（ID），导通电阻1000mΩ，具有良好的电流承载能力和较低的导通损耗。该器件广泛应用于电源变换、开关控制、直流稳压及高压调节等电子系统中，适合对效率与稳定性有要求的电力电子设计场景。
