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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源击穿电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，适用于高电压工作环境。在导通状态下，最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，具备良好的电流承载与低损耗特性。该器件常用于电源转换、开关控制、直流稳压及高电压调节等电路设计中，满足对性能与稳定性有要求的电力电子应用需求。
