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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适合高电压应用场景。在导通状态下，其最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，能够有效支持高效能电力传输与切换操作。该器件广泛应用于电源管理、开关电路、直流转换器及高电压控制等场景，提供稳定可靠的性能表现。
