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本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），采用N沟道结构，具备优异的导通与开关性能。主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS达700V，导通电阻RDON低至160mΩ，可支持高效率、高频率的电力转换应用。该器件适用于消费类电源、高效能适配器、无线充电设备及精密电机控制等领域，提供稳定可靠的功率解决方案。
