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本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），属于N沟道增强型器件，具备高耐压与低导通损耗特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS为700V，导通电阻RDON为160mΩ，支持高频开关与高效功率转换。适用于消费类电源适配器、无线充电系统、LED照明驱动及通信基础设施中的高效能电源模块，助力实现更高效率与更小体积的电路设计。
