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本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），采用N沟道结构设计，具备优异的高频与高效能特性。主要参数包括：漏极电流ID为10A，漏源耐压VDSS达700V，导通电阻RDON为160mΩ，支持快速开关与低损耗运行。适用于高功率密度电源转换系统、消费类快充设备、射频功率放大器及高效率直流变换器等应用场景，满足对小型化与高性能并重的设计需求。
