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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承载最大2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为4200mΩ。该参数组合使其适用于中功率开关电路、电源转换及小型电子设备中的高频整流和控制场景，具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于各类需要高效能、小体积功率器件的设计中。
