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本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备1200V的漏源击穿电压（VDSS），支持7A连续漏极电流（ID），导通电阻为320mΩ（RDON），展现出优异的高压与高频工作性能。凭借碳化硅材料特性，该器件在高温、高频率环境下仍能保持稳定运行，适用于电源转换、无线充电、光伏逆变等高效率电路系统。其高耐压能力和良好的导电性能，使其成为高性能电力电子装置的理想选择。
