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本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于多种电源管理与模拟开关应用场景。其漏极电流ID可达4.1A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为42mΩ，具备良好的导通性能与开关响应特性。器件设计兼顾效率与稳定性，适合用于电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换电路及各类低功率电源管理系统中，为电路提供高效、可靠的控制与传输路径。