-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款场效应管（MOSFET）为P沟道增强型器件，适用于低电压功率控制场合。其主要参数包括：漏极电流ID为3A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为100mΩ，适合用于电池供电设备及小型电源管理系统。该器件具备较好的开关响应速度和热稳定性，可广泛应用于便携式电子产品、LED驱动电路、负载开关以及各类低功耗控制模块中。其封装形式灵活，便于实现紧凑化电路设计与良好散热效果。