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本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，连续漏极电流ID可达15A，漏源击穿电压VDSS为30V，适合中低压功率应用需求。导通电阻RDON低至5.8mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备中的功率转换场景，提供稳定可靠的性能表现。
