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本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源耐压（VDSS），可承载最大连续漏极电流15A（ID），导通电阻低至5.8mΩ（RDON），有效降低导通状态下的功率损耗。器件采用先进工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换、负载开关、电池管理系统及高效能DC-DC变换器等场景，在高效率与小型化设计中表现突出。
