-------<点击了解更多 + 购买>-------
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受持续工作电流达12A（ID），导通电阻低至10mΩ（RDON），有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备等多种场景，为各类电子系统提供高效、稳定的功率切换解决方案。
