-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能和可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其漏极电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，确保在中等功率应用中稳定运行。导通电阻RDON低至14毫欧，有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，便于散热与集成，广泛应用于消费类电子、便携式设备及节能电源转换器等领域，满足对空间与效能双重需求的设计场景。