-------<点击了解更多 + 购买>-------
本产品为NN沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，漏极连续电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，适合中低功率电源管理应用。导通电阻RDON低至17mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用双沟道结构，集成度高，适用于各类高效能转换器、负载开关、电池保护电路及便携式设备电源管理系统中，性能稳定，响应速度快，具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
