-------<点击了解更多 + 购买>-------

本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，支持双向导通，具备良好的电流驱动能力和高效的开关性能。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源耐压VDSS为30V，适用于中低电压功率控制场景。导通电阻RDON仅为17mΩ，有效减少导通损耗，提高系统能效。该器件可广泛用于电源转换、电机控制、电池管理及高精度开关电路中，满足高频运作与小型化设计需求，适合多种消费类与通信类电子设备应用。