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本款场效应管（MOSFET）采用NN沟道组合设计，具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，确保在中高功率应用中的稳定性。导通电阻RDON低至17mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、消费类电子设备及高性能计算模块等场景，提供紧凑且高效的电路解决方案。