-------<点击了解更多 + 购买>-------

本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中等功率电路设计。器件导通电阻RDON仅为17mΩ，有效降低导通损耗，提高整体效率。该产品可广泛应用于电源转换、便携式电子设备及高性能计算模块等场景，满足高效、小型化电路系统的设计需求。