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本款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为45毫欧，能够有效减少功率损耗并提升转换效率。器件采用成熟稳定的封装工艺，适用于多种中低功率应用场景，如电池供电设备、智能家电、通信模块及电源管理系统，为电路提供可靠的开关控制性能。