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本产品为NN沟道增强型场效应管（MOSFET），采用双通道设计，具备良好的导通特性和开关响应。单通道漏极电流ID可达6A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为22mΩ，支持并联使用以满足更高电流需求。器件适用于高密度电源管理系统、便携式电子设备、电池供电系统及小型化DC-DC转换器等场景，提供高效、稳定的功率控制性能。