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本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换应用。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、充电设备、LED驱动模块及各类电力电子变换装置，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。
