-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与500V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换场合。导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗，提高转换效率。器件具备良好的热稳定性与可靠性，可广泛应用于开关电源、适配器、LED驱动电路以及各类电力电子设备中，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。