-------<点击了解更多 + 购买>-------

本场效应管（MOSFET）为NN沟道组合结构，具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为10A，漏源耐压VDSS达30V，适用于中高功率电源系统。导通电阻RDON仅为12mΩ，有效降低功率损耗并提升整体效率。该器件可广泛应用于电源转换器、同步整流、电池管理系统及高性能计算设备中的开关电路，具备稳定的工作表现和较强的适用性。