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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于小功率开关及信号控制类应用。主要参数包括：最大漏极电流ID为0.2A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON为2800mΩ，具备较高的电压耐受能力，适合用于低电流场景下的开关控制。该器件广泛应用于消费类电子产品中的电源管理、LED驱动、继电器控制及小型家电控制电路中，性能稳定，兼容性强。