-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），具备较高的电流承载能力和优良的导通特性。其最大漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为8mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电池供电设备及负载开关等应用场景，满足对功率控制稳定性和可靠性较高的需求。器件采用标准封装设计，便于散热与PCB布局，支持多并联使用，为各类中高功率电子系统提供高效、可靠的核心支持。