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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为220mΩ，适用于需要高效开关和低导通损耗的电路设计。其较高的耐压能力和稳定的电流承载性能，使其可应用于电源管理、直流变换器、负载开关以及各类嵌入式电子设备中，满足多种基础电力电子变换需求。
