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本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备10A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高压开关应用环境。导通电阻（RDON）为860mΩ，在同类器件中具备良好的导通性能，有助于提升电路效率。器件结构设计优化，具有较强的耐压能力和稳定的工作表现，适用于电源适配器、充电器、LED驱动模块以及各类交直流转换设备中的高频开关电路设计，满足高效能与高可靠性要求。
