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本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的耐压能力和良好的开关特性。其漏极电流ID为13A，漏源电压VDSS高达500V，适用于高压应用场景。导通电阻RDON为400mΩ，在高频开关条件下仍能保持较低损耗。该器件广泛用于电源变换器、高压直流控制、充电管理电路及家用电器中的功率开关部分，适合对效率与稳定性有一定要求的电路设计。