-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高频率开关应用。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达500V，导通电阻RDON为400毫欧。高耐压与低导通电阻特性使其在电源转换、电机控制及照明驱动等场景中具备优异的性能表现，同时支持高效能与小型化设计需求。