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本款NP沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），支持连续6A的漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为16毫欧，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件支持双向开关应用，适用于电源管理、便携式设备、电池供电系统及小型化电子产品的电路设计，具备高频响应能力，满足对性能与空间布局有要求的多样化应用场景。
