-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与低导通损耗特点，适用于多种电源管理及功率转换场景。主要参数包括：最大漏极电流ID为130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，有效提升系统效率并减少发热。器件结构优化，具备良好的耐压能力与开关特性，适用于高密度DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统以及各类中高功率电子装置的设计应用。