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本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高20V的栅源电压（VGS），导通状态下漏极电流可达10A。其导通电阻（RDON）低至14毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路及直流电机控制等场景，支持高频开关操作，为高效能、紧凑型电子设备提供可靠支持。
