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本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备10A的最大漏极电流ID和30V的漏源电压VDSS，适用于中等功率应用场景。导通电阻RDON为14mΩ，能够在导通状态下有效降低功耗，提高整体效率。器件支持最高20V的栅源电压VGS，确保稳定工作条件下具备良好的开关性能。采用成熟工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，广泛适用于电源管理模块、便携式电子设备、电池供电系统及其他对能效与空间布局有要求的电子产品中。