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本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为40V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至7.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源管理、负载开关、电池供电设备以及消费类电子产品中的高效能需求场合。