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本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源耐压（VDSS），可承受持续工作电流达15A（ID），导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件适用于各类中功率电源管理系统，如直流电机控制、开关电源及负载开关电路，提供稳定可靠的性能支持。
