-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款场效应管（MOSFET）采用NN沟道设计，具备优异的导通性能与高效能特性。其漏极电流ID可达40A，漏源电压VDSS为40V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至6.9mΩ，有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、开关电路及负载控制等多样化电子设备需求，提供稳定可靠的电气性能表现。