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本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有30V漏源击穿电压（VDSS）和35A额定漏极电流（ID），适用于中高功率电源管理应用。导通状态下，其典型导通电阻（RDON）为13mΩ，能够在保证性能的同时有效控制导通损耗。该器件采用稳定可靠的制造工艺，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于各类电源转换装置、负载开关电路及电池供电系统中的功率控制与调节应用。
