-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和70A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为6mΩ，可有效减少功率损耗并提升整体效率。器件基于成熟稳定的半导体工艺制造，具备良好的开关性能与热稳定性，适用于各类中高功率电源管理、电机驱动、储能系统及便携式电器中的电能控制与切换应用。其结构设计兼顾可靠性和实用性，便于集成于多种电子设备中。