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本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和90A的额定漏极电流（ID），适用于较高功率的电源管理场景。导通状态下，其典型导通电阻（RDON）低至3.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换设备、负载开关电路以及电池供电系统中的控制与驱动应用。
