-------<点击了解更多 + 购买>-------
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备30V漏源耐压（VDSS）与110A额定漏极电流（ID），可满足较高功率密度的设计需求。导通电阻（RDON）典型值为3mΩ，有效降低导通损耗，提升整体能效表现。该器件适用于各类电源管理系统、开关控制电路以及电池供电设备中的功率切换应用，具备良好的热稳定性和可靠性，能够胜任复杂工况下的持续运行任务。
