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本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源耐压（VDSS），可在较高功率应用场景中稳定工作。其导通电阻（RDON）仅为13毫欧，有效减小导通损耗，提升整体能效。器件采用P沟道结构，适用于各类中低电压功率控制电路，如电源适配器、充电管理模块、便携式电子设备及家用电器中的开关电源与负载驱动电路。
