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本产品为PP沟道场效应管（MOSFET），具备11A的持续漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于中功率电源转换场景。导通电阻低至14mΩ，可有效减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用双P沟道设计，适合用于高边开关、负载切换及同步整流电路中，提供良好的热稳定性和操作可靠性。其封装形式便于散热与集成，广泛应用于各类便携式设备、电源适配器及智能控制电路中的功率调节环节。