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本产品为NP沟道场效应管（MOSFET），具备7.2A持续漏极电流和40V漏源电压能力，适用于中低功率电源管理应用。导通电阻为23mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。该器件集成N沟道与P沟道结构，支持双向功率控制，适合用于H桥驱动、直流电机控制及电源切换电路。其双沟道特性提供更灵活的栅极驱动方式，适用于便携式电子设备、智能家电及小型电源模块中的高效功率调节需求。