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本产品为NP沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与开关电路。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。N沟道与P沟道组合设计，支持同步整流与双向开关应用，广泛用于便携式设备、消费类电子及通信设备中的高效电源转换模块。