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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和可靠性，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为100V，确保在较高负载条件下稳定运行；导通电阻RDON低至6.4mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于高频率开关应用及电源管理系统。