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本产品为NP沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与转换场景。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用复合沟道设计，在兼顾性能的同时提升了开关稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块及各类便携式电子设备中的功率控制电路。