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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为100V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至8.2mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、电机控制及各类电子设备中的功率转换和调节模块。